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232140KOSDAQ

YC

17,130
-60 (-0.35%)

株価チャート

  • MA5
  • MA20
  • MA60
時価総額兆ウォン

その日の終値にこの銘柄そのものの上場株式数を掛けた値を、週ごとに一つずつ抜き出して結んだ線です。普通株と優先株を合算した値ではなく、この銘柄だけの値です。

概要

要約

同社は1991年に設立され、KOSDAQ市場に上場しています。本社はキョンギドソンナム市ブンダングに位置しています。

同社はDRAMおよびNANDメモリ半導体の自動検査装置の製造および販売を行っており、不良分析やメモリセルの修理機能を備えた装置を提供しています。また、ウェハテストに使用されるプローブカード向けの多層セラミック基板の製造および販売も展開しています。

事業の概要 原文

연결기업은 반도체 제조공정 중 EDS 테스트 공정에서 필요로 하는 반도체 검사 장비를 제작 및 판매하는 사업과 웨이퍼를 직접 컨택하여 테스트하는 프로브 카드에 사용되는 다층 세라믹 기판 제조 및 판매사업을 영위하고 있습니다.

가. 업계현황 및 전망

(1) 산업의 특징

반도체 장비는 반도체 회로설계, 실리콘 웨이퍼 제조 등 반도체 제조를 위한 준비 단계부터 웨이퍼를 가공하고 칩을 만들고, 조립 및 검사하는 단계까지의 모든 장비를 포함하고 있습니다. 즉, 반도체 소자를 생산하기 위하여 사용되는 제반 장비를 제작하는 산업으로 전방산업인 소자산업 성장과 같이 하며 현재는 시장규모나 중요성 면에서 고유의 산업영역을 구축하고 있습니다.

반도체 장비 시장은 제조장비 종류별로 구분되는데 일반적으로 반도체 장비는 웨이퍼 공정인 전공정 장비, 칩에 배선작업을 하고 패키지를 씌워 안정성 있는 제품으로 만드는 조립장비, 성능을 시험하는 검사장비, 가스를 공급하거나 웨이퍼를 건조시키고 옮기는 등 각각의 칩 제조공정을 돕는 관련 장비 등으로 구분하고 있습니다. 반도체 공정은 원재료인 웨이퍼를 개별 칩으로 분리하는 시점을 기준으로 전ㆍ후공정 및 검사로 구분되며 각 공정 별로 전문화된 장비를 활용하고 있습니다. 전공정은 미세화 기술 등 반도체 칩의 품질을 좌우하는 단계로서 노광기, 증착기, 식각기 등의 장비로 구성되고, 후공정은 최종적인 칩모습을 형성하는 조립단계로 절단, 금속연결로 구성, 고집적화 및 다양한 수요대응 기술이 요구되며, 마지막으로 검사는 불량을 검출, 보완하는 단계로 고속처리 기술이 요구됩니다. 반도체 장비 산업은 반도체 산업과 마찬가지로 기술 발전 속도가 빠르고 전형적인 지식기반 산업으로서, 고급 두뇌인력을 활용한 R&D에 사업의 성패가 좌우되는 특성을 가지고 있습니다. 반도체 장비는 전기, 전자, 기계, 물리, 화학, 재료, 광학 등 다양한 학문적 기초를 필요로 하며, 초미세, 고집적, 극저온, 고진공 등을 구현하기 위한 극한 기술이 필요한 기술 집약적 장치로서, 정밀기계, 자동차, 우주항공 및 의료기기 등 타 정밀 가공산업에서의 파급효과가 매우 높은 분야입니다.

(2) 시장의 특징

(가) 경제적/기술적 특징 반도체 장비 산업은 설계 및 개발비가 원가의 높은 비중을 차지하는 지식기반 고부가가치 산업으로서 반도체 소자의 가격경쟁력강화에 중요한 산업입니다. 이들 반도체 장비 중 핵심장비들은 약 2,000여개의 첨단 부품으로 구성되어 있으며 정밀도가 높아 부품간 시스템을 통합하기 위해선 고도의 기술이 필요합니다. 또한 반도체 장비는 전기, 전자, 기계, 물리, 화학, 재료, 광학 등 다양한 학문적 기초를 필요로 하며, 초미세, 고집적, 극저온, 고진공 등을 구현하기 위한 극한 기술이 필요한 기술 집약적 장치로서, 정밀기계, 자동차, 우주항공 및 의료기기 등 타 정밀 가공산업에서의 파급효과가 매우 높은 분야입니다.

(나) 급속한 기술혁신이 요구되는 산업 반도체 장비산업의 가장 큰 특징 중의 하나는 반도체 산업과 마찬가지로 기술발전 속도가빠르고 지속적 개선이 필요하며 이에 따라 디바이스 생산에 적합한 설비의 개발이 필요하다는 것입니다. 대부분의 반도체 장비 업체의 경우 반도체 소자의 세대가 바뀔 때마다 장비 또한 Up-grade 시켜야 하는 특성을 지니고 있습니다. 1~2년 주기로 변화하는 디바이스의 특성에 대응하기 위해 짧은 제품개발 기간이 요구되기도 합니다. 따라서 세대별 반도체 장비 부문에서시장을 석권한 기업이라 하더라도 지속적인 R&D를 통해 차세대 반도체 공정기술의 전개방향을 정확하게 예측하고 준비하지 않으면 도태될 수밖에 없는 구조적 특성을 지니고 있습니다. 반도체 소자가 빠른 속도로 고집적, 고기능, 초경량화되고 있기 때문에 반도체 공정기술 또한 빠른 속도로 변하고 있는데, 이것은 반도체 장비가 이러한 공정기술을 발현해놓은 제품이기 때문입니다. 즉, 반도체 장비는 사용자가 필요할 때 적시에 공급하는 것이 중요하며 적시공급 여부가 사용자 기업의 생산성을 크게 좌우합니다.

(다) 통합화(System Integration)가 중요한 산업 반도체 장비란 반도체 회로설계, 실리콘 웨이퍼 제조 등, 반도체 제조를 위한 준비 단계에서부터 웨이퍼 가공, 칩 제조, 조립 및 검사의 단계에까지 모든 장비를 포괄하는 개념을 말합니다. 따라서 반도체 장비산업은 통합화(System Integration) 능력이 매우 중요한 산업으로 전문화된 부품 생산업체와의 네트워크가 무엇보다도 중요한 산업입니다.

(라) 사용자/주문자 생산방식 중심의 산업 반도체 장비는 사용자의 요구사항에 따라 만들어지는 특성이 있으며 사용자의 주문량에 의해 그 수요가 결정됩니다. 반도체 장비는 반도체 소자의 특성이 규명되어야만 사양이 결정되고 개발이 뒤늦게 시작되는 경향이 있으므로 때때로 장비 성능 및 기술구현과 병행해서 빠른 납기가 요구되기도 합니다. 또한, 반도체 장비는 같은 종류라 하더라도 각 반도체 업체별로 최적화(Customizing)가 필요하며, 현재 반도체 장비 개발 영역은 반도체 소자업체 영역인 공정 기술 부문까지 확대된 통합 장비 산업입니다. 이는 반도체 장비 개발 범위는 반도체 제조업체가 요구하는 공정 조건을 만족하는 것은 물론이며 이를 위하여 소재 개발을 포함한 Software, Hardware, 제어부문 및 생산부문을 포함한 R&D 공정개발 능력을 필요로 한다는 것을 말합니다.

(마) 고부가가치 산업 일반적으로 하드웨어 비중보다 소프트웨어의 비중이 크게 나타나고 있는데, 전공정 장비의 경우 생산 원재료 구입비는 장비의 특성 및 기능에 따라 차이가 있으며 대략 70% 전후로 알려져 있습니다. 장비 제조업이 주로 창출하는 부가가치는 성능 균일성, 신뢰성, 생산성 향상, 시험평가 등 장비의 설계과정, 그 중에서도 기술 노하우에 크게 의존하고 있습니다.

(3) 산업의 현황

(가) 반도체 시장 규모 및 전망 2025년 글로벌 반도체 시장 규모는 약 7,930억 달러로 확대되었습니다. AI 확산을 중심으로 구조적 성장 국면에 진입하였으며, 고성능 연산 및 메모리 반도체 수요 증가에 따라 시장 규모가 확대되었습니다. 생성형 AI 및 대규모 언어모델 확산으로 GPU, AI가속기, 고대역폭 메모리(HBM) 수요가 증가하였으며, 서버 1대당 반도체 탑재 금액 상승으로 시장 성장의 질적 전환이 진행 중입니다. HBM 중심의 고부가 메모리 수요 증가로 메모리 반도체 시장은 저점을 통과한 이후 회복 국면에 진입하였으며, 고난도 공정 패키징 확대에 따라 검사 및 테스트 공정 중요성이 증대되고 있습니다. 추가로 AI 및 고성능 컴퓨팅 수요에 대응하기 위한 3nm이하 선단 공정 투자가 지속되고 있으며, 공정 미세화에 따른 품질 관리 강화로 검사 테스트 장비 수요가 확대되는 추세입니다. 각국의 반도체 산업 육성 정택 및 공급망 안전화 기조에 따라 중장기적으로 반도체 설비 투자가 일정 수준 이상 유지될 것으로 전망됩니다. Major 거래선은 Memory 특히 DRAM 관련 설비 투자가 증가할 것으로 보이며 성장요인으로는 HBM의 수요증가, DRAM 제품의 세대진화(DDR5, LPDDR5) 및 Server 수요 회복 등이 지속 기대되고 있습니다.

2026년 글로벌 반도체 시장은 2025년에 형성된 성장 흐름을 이어가며 지속적인 확대가 전망됩니다. 특히 생성형 AI와 대규모 언어모델의 확산에 따라 AI 학습 및 추론 인프라에 대한 투자가 본격화되면서, 반도체 수요 구조는 기존 범용 제품 중심에서 고성능 고부가 제품 중심으로 재편될 것으로 예상됩니다. 하이퍼 스케일데이터 센터를 중심으로 GPU, AI 가속기, 고대역폭 메모리(HBM) 수요가 지속 확대됨에 따라, 서버 1대당 반도체 탑재 금액증가에 따른 질적 성장이 이어질 전망입니다. 메모리 반도체 시장은 HBM을 중심으로 한 고부가 제품 비중 확대가 지속될 것으로 예상되며, 차세대 AI 플랫폼 도입과 함께 고사양 메모리 채용이 확대되면서, 출하량 증가와 평균판매단가(ASP) 상승에 기반한 성장 구조가 유지될 것으로 전망됩니다. 이에 따라 고난도 공정, 첨단 패키징 및 테스트 공정의 중요성은 한층 강화될 것으로 보입니다.

(나) 반도체 장비시장 규모 및 전망 최근 발표된 SEMI 자료에 의하면 2025년도 반도체 FAB 장비 투자규모는 2024년 대비 약 14% 증가한 약 $1,330억 수준으로 추정되며, 또한 2026년 FAB 장비 지출은 전년 대비 약 9% 정상 한 약 1,450억 달러로 전망하고 있습니다.

성장의 중심은 여전히 AI 인프라 투자와 고부가 메모리(HBM) 생산 확대가 될 것으로 예상될 것으로 보이며, 특히 HBM 생산 확대에 따른 테스트 장비 수요는 2026년에도 두 자릿수성장(약12%)이 전망되며, 첨단 패키징 확대에 따른 A&P 장비 수요 역시 견조한 성장세를 유지할 것으로 보입니다.

전공정 장비 부문에서는 선단 공정 투자가 유지되는 가운데, 신규 대규모 증설보다는 기존라인의 공정 전환, 수율 개선, 고도화 투자가 중심이 될 것으로 보입니다. 이에 따라 장비 수요는 급격한 확장보다는 안전적인 성장 국면에 진입할 가능성이 높습니다.

semiconductor equipment market(23~27f).jpg semiconductor equipment market(23~27f)

- Memory 투자는 HBM, DDR5 등 고부가가치제품 중심으로 투자 진행. 삼성전자의 투자를 시작으로 SK하이닉스, 마이크론, TSMC, Intel 등의 단계적 장비투자가 예상됩니다. 반도체 장비산업은 반도체 시장 규모의 15~20%전후를 차지하고 있는 주요후방 산업으로 반도체 경기와 산업 사이클이 비례하는 특징을 나타내고 있습니다. 2000년대 중반 이후 각종 인수합병 등의 영향으로 장비기업들의 대규모화와 시장 지배력이 강화되고 있는 상황입니다. 과거에는 공정 미세화와 신규투자가 병행하여 불황과 호황 사이클이 3~4년 주기였으나 DRAM 공급업체가 3사 체제인 현시점에서는 무리하게 신규투자를 감행하기보다는 원가를 낮출 수 있는 공정 미세화에 더욱 힘을 쏟고 있습니다. Memory투자는 공정 미세화에 따른 테스트 Time 단축 이슈 및 WF 투입량 등과 직결됩니다.

NAND의 경우 향후 경쟁사 간 시장점유율 확보 및 원가경쟁이 치열해질 것으로 보입니다.키옥시아,WD의 향후 합병가능성이 높아지고 있는 가운데 경쟁은 더욱 치열해질 것으로 예상되며 Micron 등은 2023년 생산증가율을 축소하면서 재고 관리를 통하여 위기를 극복해 나갈 것으로 보입니다(B/G :약 25~ 30%수준). 현시점에서는 원가경쟁력, 제품의 차별화 특성 등을 앞세워 미래를 대비해 나갈 것으로 보입니다.

삼성전자는 대부분을 3D NAND로 전환하고 화성 라인과 평택내 신규 장비 투자를 진행 중이며 2022년 하반기 가동을 시작으로 평택3공장이 양산 중에 있습니다. 또한 중국시장을 겨냥하여 중국 시안에 중장기 라인운영 계획을 준비 중에 있습니다. SK하이닉스 역시 청주 라인 전환 투자 및 M14, 16라인에 신규, 증설 투자를 했으며, 삼성전자에 이어 키옥시아(WD), Micron과 함께 3D NAND 생산을 본격화 할 것으로 보입니다. 특히 키옥시아 / WD 합병 움직임에 따른 수급 Balance를 주시하면서 탄력적 투자를 진행할 것으로 판단됩니다.

(다) 반도체 테스트 장비시장 규모 및 전망 2025년 글로벌 반도체 테스트 장비 시장은 약 155억 달러 규모로 추정되며, 전년 대비 완만한 회복 국면에 진입한 것으로 평가됩니다. 단순한 물량 증가보다는 고난이도, 고부가 테스트 수요 증가가 시장 성장을 견인했고 특히 HBM, DDR5, 고성능 NAND 등 고집적 메모리 제품은 테스트 공정에서 요구되는 핀 수 증가, 테스트 시간 증가, 고속 신호 무결성 검증 등의 요인으로 인해, 웨이퍼 테스트 및 패키지 테스트 장비의 사양 상향 수요가 뚜렷하게 나타났습니다. 이에 따라 테스트 장비 시장은 단가 중심의 구조적 성장이 진행되고 있으며, 단순 범용 테스터보다는 고성능 SoC, 메모리 대응 장비 비중이 확대되는 추세입니다. 또한 Advanced Packaging 확산에 따라 패키지 테스트 공정의 중요성이 커지면서, 기존 대비 테스트 커버리지 및 정밀도 요구 수준이 상승하였고, 이는 테스트 장비 업체 입장에서는 장비 교체 수요와 신규 플랫폼 도입 기회로 작용하며, 시장 안정성에 긍정적으로 기여하고 있습니다.

2026년 반도체 테스트 장비 시장은 약 160억 달러 이상으로 성장할 것으로 전망되며, 전년 대비 6%내외 성장률이 예상됩니다. AI서버용 반도체, 자율 주행, 전장용 반도체, 고성능 모바일 AP 등 고신뢰성, 고정밀 검증이 필수적인 제품군의 생산 확대가 테스트 장비 수요를 지속적으로 견인할 것으로 판단됩니다.

특히 AI 가속기 및 HBM 연계 제품의 양산 확대는 테스트 공정에서 병목을 최소화하기 위한 고병렬, 고속 테스트 장비 투자를 유발하고 있으며, 이는 테스트 장비 시장이 단기 사이클을 넘어 중기 구조적 성장 국면으로 진입하고 있음을 시사합니다. 메모리 업체들 역시 단순 캐파 증설 보다는 수율 안정화 및 고부가 제품 중심의 투자 전략을 유지할 가능성이 높아, 테스트 장비에 대한 선택적, 집중적 투자가 이어질 것으로 예상됩니다.

(4) 경기변동의 특성

반도체 장비 산업은 반도체를 모태로 한 산업으로 일정 주기로 경기순환을 하고 있는 반도체 산업 경기와 매우 유사한 추세를 보이고 있습니다. 따라서 일반 경기변동과 연관성이높다고 할 수 있으며, 특히 최근 반도체 시장 경기변동의 가장 큰 요인이 되고 있는 스마트폰, 태블릿 PC와 같은 신 IT기기나 Mobile 기기의 등장과 발전 외에도 이동통신 서비스시장에서의 데이터 서비스의 비중 확대, 디지털 가전의 시장수요 변화와 교체주기, IoT 시장규모 확대 등도 경기변동의 주요 요인으로 작용하고 있습니다. 최근에는 새로운 스마트폰, IoT 제품들의 성공 여부에 따른 영향으로 인하여 특정 주기 및 요인에 의한 영향성이 더 크게 작용하는 추세를 보이는 가운데, 자율주행 기술의 급속한 진전으로 인해 Industrial제품의 성장 및 AI와 연관된 적용산업 그리고 H/E Server(Storage)등의 지속적 성장으로 인한 영향도 있을 것으로 보입니다. 과거 모바일, PC 등에 주로 사용되던 반도체는 최근 들어 인공지능(AI), 사물인터넷(IoT),빅데이터, 자율주행, AR(가상현실) 등과 접목해 사용 범위가 확대되면서 고용량 데이터를담을 수 있는 비휘발성 고용량 메모리 3D낸드플래시에 대한 수요가 특히 늘어남에 따라 향후 고성능 DRAM이 AI혁명을 이룰 것으로 예상됩니다. 따라서 반도체 시장은 수년내 AI에 특화된 메모리 반도체를 중심으로 새로운 시장이 열릴 것으로 기대되며, 기존 모바일 DRAM중심에서 고성능을 필요로 하는 새로운 APP이 탄생하여 신규시장을 창출해나갈 것으로 예상하고 있습니다. 당사가 공급하고 있는 메모리 웨이퍼 테스터도 반도체 시장의 경기변동과 밀접한 관련이 있습니다. 시장 수요나 생산, 매출의 증감량에 따라서 반도체 제조 회사의 신규 설비투자 규모 등이 결정되고 그 투자규모에 따라서 당사의 주력제품인 메모리 테스터의 수요도 결정되기 때문입니다. 당사가 제공하는 웨이퍼 테스터는 삼성전자와 SK하이닉스에 설비를 제공해 왔으며, 앞으로도 지속적으로 장비를 공급할 예정입니다.

(5) 경쟁상황 반도체 장비 산업은 막대한 R&D 비용과 제품의 품질, 가격, 납기 그리고 고객의 요구사항에 대해 얼마만큼 정확하고 신속하게 대응하는지가 장비 선정의 중요한 결정 요소입니다.

경쟁력 있는 장비 제조업체의 위치를 유지/발전하기 위하여 무엇보다도 지속적인 R&D 투자가 차세대 반도체 공정기술의 발전 방향을 정확히 예측하고 준비하는데 있어 필수적인 요인이며 이를 게을리할 경우 경쟁에서 도태될 수 밖에 없습니다. 또한 반도체 장비 산업이 주문생산 산업이므로 꾸준한 연구개발을 통하여 품질을 향상시켜 고객으로부터 신뢰를얻을 수 있어야 합니다. 반도체 장비 중, 웨이퍼 검사 장비 부분에서는 당사 외에 미국의 Teradyne, 일본의 Advantest에 국한되어 치열한 경쟁을 하고 있으며 국내 유일의 High Speed 메모리 웨이퍼 테스터 제조업체인 당사는 그 동안의 노하우를 바탕으로 기술 / 품질 / 가격 등의 부분에서 경쟁업체와 어깨를 나란히 하고 있습니다.

(6) 자원조달의 특성

반도체 장비 산업은 소자기업 주문에 의해 장비가 제작되므로 기본적인 사양은 같지만 고객 Needs에 따라 설비의 구체적인 사양이 달라 질 수 있는 특성상 대량생산이 불가능한 산업입니다. 따라서 장비제조에 사용되는 주요 구성품은 국내외 전문화된 생산업체에서 조달하고 있으며 환율 변동 및 SCM이슈에 따라 자원조달의 환경이 변동됩니다.

(7) 관련법령 또는 정부의 규제 등

반도체 산업은 국가 기간산업으로 정부의 여러 가지 지원정책을 통하여 각종 인력 양성, 자금지원 및 조세감면 등의 지원이 있으며, 산업의 발전을 억제하거나 제약하는 특별한 규제는 없습니다.

나. 회사의 현황

(1) 영업개황

당사는 반도체 웨이퍼 및 패키지의 결함을 자동으로 검사하는 장비를 개발, 제조, 판매하고 있습니다. 반도체 제조업체와 1997년 AL6080 공동개발, 2000년 AL6090 개발, 2001년 이후 삼성전자와 AL6050 공동개발, 2004년 MT6060 공동개발, 2006년 MT6121 공동개발, 2010년 MT6133 공동개발 하였고, 2012년에는 와이아이케이 주식회사가 일본 Yokogawa Test Solution의 메모리 테스터 부분을 인수한 이후 국산화를 위해 노력한 끝에 DRAM, NAND용 High Speed 메모리 웨이퍼 테스터를 개발, 제조, 판매할 수 있는 회사가 되었습니다.

2013년 메모리 웨이퍼 테스터인 MT6133 국산화 1호기를 출하하여 가격 경쟁력 향상 및 수입대체 효과에 기여할 수 있었을 뿐만 아니라, 2015년에는 에이티테크놀로지(구 프롬써어티)를 인수하면서 반도체 제조업체에 상당량의 장비를 유지, 보수 할 수 있게 되면서 보다 경쟁력 있는 회사로 변모하게 되었습니다.(2022년 400호기 이상 판매 실적) 2016년부터는 신규 MT6122 설비 출하를 통하여 고객사 양산에 기여하고 있습니다. 2024년 하반기부터는 신규 장비가 출하되었으며, 차세대 Memory Tester 신규 장비 개발에도 박차를 가하고 있습니다.

(2) 사업의 내용 및 전망

(가) 삼성전자 Memory向 사업 부분 삼성전자 메모리 사업부는 AI 데이터센터 수요 확대에 따른 메모리 슈퍼사이클 진입을 기반으로 실적과 시장 지위를 동시에 회복하는 국면에 진입하였으며, 특히 AI 가속기 및 고성능 서버용 메모리 수요가 급증하면서, 기존 범용 메모리 중심 구조에서 HBM, DDR5, 고용량 NAND 중심의 고부가 제품 믹스 전환을 본격화 했습니다.

DRAM 부문에서는 서버 및 AI용 메모리 수요 증가에 힘입어 2025년 하반기부터 가격 반등이 본격화되었으며, 삼성전자는 미세공정 전환과 수율 개선을 통해 수익성을 빠르게 회복하였습니다. 시장조사기관 및 주요 증권사에 따르면 삼성전자는 2025년 4분기 글로벌 DRAM 시장 점유율 1위를 재탈환한 것으로 평가되며, 이는 고부가 서버 DRAM과 HBM 매출 확대의 영향이 컸고, 특히 HBM3E 양산 안정화 및 차세대 HBM4 제품의 주요 고객사 샘플 공급이 진행되면서 AI서버 시장 내 경쟁력이 강화되고 있습니다.

NAND Flash 부문 역시 AI 테이터센터의 저장용량 확대와 고성능 ESSD 수요 증가에 따라 점진적인 회복세를 보이고 있습니다. 삼성전자는 V-NAND 고적층 기술을 기반으로 고용량, 고신뢰성 SSD 제품 비중을 확대하며, 단순 물량 위주의 경쟁에서 벗어나 수익성 중심의 사업운영 전략을 강화하고 있습니다. 이에 따라 NAND 부문도 2025년 하반기부터 실적 개선 흐름에 진입한 것으로 알려져있습니다.

이를 위하여 당사는 삼성전자와 2016부터 고효율 NAND 웨이퍼 테스터인 MT6122 공동개발을 통해 JDA(Joint Development Agreement) 계약을 맺어 성공적으로 개발을 완료하여 양산에 기여하였고 2021년부터 개발하여 고객사 평가 완료된 MT8311의 경우 2024년 하반기부터 출하를 시작하였습니다. 이를 통해 매출 및 이익 극대화에 목표를 두고 있습니다.

(나) SK하이닉스 Memory向 사업 부분 일본 Yokogawa Test Solution으로부터 사업부 인수 후 삼성전자에 편중되어 있는 매출구조를 변경하고자 다양한 매출처 확보에 주력하고 있습니다. 특히 SK 하이닉스의 DRAM 사업 부분에는 당사의 설비였던 MT60xx, MT61xx가 지금도 기준 설비로 양산 중에 있습니다. 기준설비란 메모리 제품의 품질을 일정하게 유지하기 위하여 지정한 테스터의 기준으로 수율과 테스트 결과 등의 기준이 되는 설비를 의미합니다.

현재 SK하이닉스는 W/W DRAM 점유율 34%, NAND 점유율 21%를 상회하는 M/S를 갖고 있으며 더욱 확대하기 위하여 박차를 가하고 있습니다.

HBM 시장에서 후발주자들이 엔비디아의 HBM 공급망에 속속 진입하는 가운데 압도적 무량으로 M/S 1위를 수성하기 위해 2025년 설비투자 비용을 전년 대비 60% 이상인 약 29조원을 집행한 것으로 추정됩니다.

당사는 위와 같은 상황과 투자 흐름에 맞춰 전략을 세워 나아가고 있습니다.

(다) 중국시장 진출 부분 미국의 중국 제재에도 불구하고 중국은 맹추격 중에 있으며 최대 메모리 반도체 회사인 CXMT는 전폭적인 보조금 지원에 힘입어 전세계 DRAM 생산량 4위까지 치고 올라왔습니다.

중국은 W/W 스마트폰과 자동차, PC 등 반도체 수요가 큰 각종 전자제품의 핵심 생산기지이며 W/W 반도체 매출의 1/3을 차지하고 있으며 미,중 양국의 기술패권 다툼은 근본적으로 당분간 해결되기 어려울 것으로 보고 있습니다. 미,중 반도체 전쟁 및 관세전쟁으로 인해 향후 미래가 불투명한 상황에서 현재 중국내부 자급률은 약 17% 전후 예상되며 미국의대중 규제로 인한 중국 반도체 생산에 미칠 영향 등 여러 가지 시나리오를 생각해 볼 수 있겠습니다. 최근 무역전쟁의 변수 및 환율 전쟁 등에 따른 중국업체들의 메모리 본격적 생산여부가 변수로 남아 있지만 아직 초기단계에 불과하고 본격적으로 경쟁력이 있는 양산체계 확립까지는 상당기간 소요될 것으로 보입니다.

중국은 반도체 굴기를 내세워 자국 내에서 반도체의 국산화율을 높인다는 정책을 펼치고 있습니다. 중국정부에서는 "중국제조 2025" 를 통해 2025년까지 반도체 자급률을 70%까지 끌어올린다는 목표를 갖고 있으나 수 년간 어려움을 겪을 것으로 예상됩니다.

会社の概要

가. 연결대상 종속회사 개황(1) 연결대상 종속회사 현황(요약)

(2) 연결대상회사의 변동내용

나. 회사의 법적ㆍ상업적 명칭

당사의 명칭은 주식회사 와이씨이며, 영문으로는 YC Corporation라고 표기합니다. 약식으로 표기할 경우에는 YCC라고 표기합니다.

다. 설립일자

당사는 1991년 4월 고려요꼬가와측정기 주식회사로 설립되어 2001년 5월 요꼬가와인스트루먼트코리아 주식회사로 상호를 변경하였습니다. 이후 2012년 8월 와이아이케이 주식회사로 상호를 변경하였으며 2024년 3월 주식회사 와이씨로 상호 변경되었습니다.

라. 본사의 주소 등

주 소 : 경기도 성남시 분당구 판교로 255번길 28 (삼평동, 디에이치케이솔루션빌딩 7층)전화번호 : 031-639-9180홈페이지 : https://www.yccorp.com

마. 주요 사업의 내용

당사는 DRAM 및 NAND 메모리 반도체의 전공정 단계를 마친 웨이퍼 상태의 반도체 Device(Die)를 검사하여 불량유무를 분석하고, 불량이 발생한 메모리 Cell을 수리(Repair) 하는 기능을 포함한 자동검사 장비(ATE, Automatic Test Equipment)의 제조 및 판매를 주요 사업으로 영위하고 있습니다.

바. 중소기업 등 해당 여부

사. 신용평가에 관한 사항

당사는 신용평가 전문기관으로부터 평가를 받고 있으며, 최근 3개년도 신용평가 현황은 다음과 같습니다.

신용등급 체계

위 등급 중 AA부터 CCC까지는 +, - 부호를 부가하여 동일 등급 내에서의 우열 표시

아. 회사의 주권상장(또는 등록ㆍ지정) 및 특례상장에 관한 사항

2025 会計年度の事業報告書(受付日 2026.03.18)に提出者が記した文章をそのまま転記したものであり、表と図は除いています。

  • 要約は原文をもとに別途作成した文章であり提出者の文章ではなく、原文と表現が異なる場合や抜けがあり得るため、併記した原文を確認してください。
  • 会社紹介は提出者が事業報告書に記した文章をそのまま転記したものであり、表と図、および報告書の他の節を指す案内文は除き、内容の真偽は別途確認していません。

VaR

8.66%
[5.90%, 12.91%] · 基準日 2026-10-02
期間別VaR比較

見出しと同じ測定値を三つの期間について同じ目盛りに並べたものであり、点が推定値、横線がその区間です。三つの期間は入れ子になって観測を共有するため、三つの値は独立した三回の測定ではありません。選択した期間を強調して示します。

日次リターン分布

選択した期間の銘柄日次リターンを等幅の区間で数えたものです。縦線は上のVaR・cVaRを損失側に示したものです。公開しているVaR標本には売買停止や初回取引日などを除く規則が適用されますが、この日次リターンには適用されないため、棒と縦線は端で少し異なることがあります。

ドローダウン

最大ドローダウン 69.9%(2026-07-30)。 選択した期間において直前の高値からどれだけ下にあったかを日ごとに描いたものであり、過ぎた経路の記述です。

リスク指標がはじめてならVaR・cVaRと年率ボラティリティをやさしい言葉で説明した案内があります。リスク指標の案内を読む

特性線

1.20
ベータ [1.07, 1.32] · KOSDAQ150 · 基準日 2026-10-08
切片
+0.139%[-0.229%, +0.507%]
決定係数
0.59
観測数
252
取引時点補正ベータ
1.18[0.99, 1.36]
252日ローリングベータ

日次特性線の最も長い期間の上で252日の窓を一日ずつ動かした値です。KOSDAQ150に対するベータと銘柄超過リターンの年率変動性がいつ高まりいつ収まったかを示し、上の見出し値と異なり区間は付けません。

252日ローリング年率変動性

各点は一期間の指数超過リターンと銘柄超過リターンであり、直線はその点に当てはめた回帰線です。無リスク金利には譲渡性預金金利を用います。

財務情報

2016201720182019202020212022202320242025TTM
売上高億ウォン6771,5052,4325001,7193,1132,8532,5522,1122,7262,916
売上高成長率%—122.4361.58-79.44244.0081.04-8.35-10.55-17.2229.06—
営業利益億ウォン99194329-11824854636486106170332
営業利益成長率%—94.7370.15-135.76—119.87-33.34-76.4623.6660.29—
当期純利益億ウォン82144281-107205509344129129290505
当期純利益成長率%—76.2095.21-138.10—148.85-32.55-62.510.36124.23—
支配株主純利益億ウォン82144294-110180450261135110193312
非支配株主純利益億ウォン00-133256082-61997193
営業利益率%14.6912.8613.55-23.5714.4517.5512.763.365.026.2311.38
純利益率%12.079.5611.55-21.4111.9016.3612.045.056.1210.6317.32
ROE%20.2517.7726.64-11.238.7916.048.894.383.395.248.09
ROA%8.5410.8214.63-5.447.5311.076.622.682.244.777.75
負債比率%137.2764.2760.6984.2526.6535.7146.3831.2937.9327.5126.81
流動比率%124.47214.06512.21156.42418.22468.78364.49250.41257.70374.12364.94
当座比率%40.4144.96347.4296.66259.54313.18227.75168.00130.04260.96218.81
内部留保率%675.981,139.571,618.901,469.882,371.702,937.603,258.643,420.653,553.543,791.193,933.32
フリー・キャッシュ・フロー億ウォン——346-72136-259124-592-503252—
FCFマージン%——14.21-14.387.91-8.324.34-23.20-23.829.24—
営業CF転換率%-117.4620.07157.56—81.3699.2187.39186.98-182.21142.12—
売上高設備投資比率%——3.998.501.7724.556.1932.6312.675.87—
売上債権回転日数日————————18.0——
棚卸資産回転日数日—171.7106.5474.0169.0132.0187.1160.5229.9193.5—
仕入債務回転日数日—80.229.365.652.243.653.335.458.6——
キャッシュ・コンバージョン・サイクル日————————189.2——
EPSウォン163246477-179262553323169137239380
PER倍16.9929.635.65—23.8511.218.6829.5074.5360.5934.61
BPSウォン3,7971,3111,7831,5802,5323,4173,5813,7673,9664,4854,696
PBR倍0.735.561.512.122.471.810.781.322.573.232.80
一株当たり配当金該当なし該当なし該当なし該当なし該当なし該当なし該当なし該当なし該当なし該当なし該当なし

連結財務諸表ベース

損益の流れ億ウォン

売上高
2,726
売上原価
2,010
売上総利益
716
その他
546
営業利益
170
営業外収益
22
税引前利益
192
法人所得税収益
98
当期純利益
290

売上高が当期純利益に至るまで、各段階でどこへ分かれていくかを開示金額のまま描いた図です。営業外損益は税引前利益と営業利益の差として置き、符号に応じて収益または費用として示し、ある段階の項目の合計が合わない残りはその他として別に示します。

収益の構成億ウォン

利益率の推移%

活動別キャッシュ・フロー億ウォン

財政状態の構成億ウォン

負債比率%

左の棒は資産を流動と非流動に、右の棒はその資産を賄う負債と資本に分けたもので、二本の棒の高さは同じです。

四半期業績の推移億ウォン

前年同期比の増加率%

四半期の棒はその四半期の三か月分の実績であり、年間の数値とは混ぜていません。増加率は一年前の同じ四半期が併せて掲載されている場合にのみ計算し、前の値が損失であれば空欄にしています。

キャッシュ・コンバージョン・サイクル日

フリー・キャッシュ・フローの分解億ウォン

棚卸資産と売上債権の回転日数を上に、仕入債務の回転日数を下に積み、その差し引きであるキャッシュ・コンバージョン・サイクルを線で示しています。回転日数は前年との平均残高で計算するため、最も古い年度は描いていません。申告された項目がない回転日数は描かず、キャッシュ・コンバージョン・サイクルは三つの項目がそろった年度にのみ示します。

営業活動によるキャッシュ・フローから有形固定資産の取得支出を差し引いた値がフリー・キャッシュ・フローであり、三本の棒はいずれも申告された符号のまま描いています。

親会社株主純利益率%

総資産回転率倍

財務レバレッジ倍

ROE%

ROEは親会社株主純利益率と総資産回転率と財務レバレッジの積です。三つの要素はいずれも期末残高を分母とし、利益と資本は親会社株主基準に揃えているため、積は表のROEと一致します。

財務諸表

財政状態計算書

2016201720182019202020212022202320242025
9571,3301,9211,968*2,7184,5995,1914,8035,7696,072
554520725*900*5721,2101,6451,1451,5861,310
4038101,195*1,068*2,1463,3893,5463,6584,1824,762

損益計算書

2016201720182019202020212022202320242025
6771,5052,4325001,7193,1132,8532,5522,1122,726
99194329-11824854636486106170
97133265-96*224560386167163192
82144281*-107*205509344129129290
基本的一株当たり利益ウォン163246477*-179*262553323169137239
希薄化後一株当たり利益ウォン163243446*-179*250553323169137237
101171230*-95*2644992239870357

キャッシュ・フロー計算書

2016201720182019202020212022202320242025
当期純利益損益計算書の項目82144281-107205509344129129290
営業活動に係る調整合計算出値-178-11516278-38-4-43112-365122
-9629443-29167505300241-236412
-167110-675649-1,740-862-279-386100
245-182391244071,07613318596282
期首現金及び現金同等物億ウォン1159752229230847687240211188
9752229230847687240211188982
現金及び現金同等物の純増減億ウォン-18-44該当なし該当なし該当なし該当なし該当なし該当なし該当なし該当なし

直近の年度では営業活動、投資活動、財務活動のすべてで現金が純流入となりました。

前年の開示が存在しない年度は、翌年の開示が再表示した比較数値で補い、その旨を表示します。受注残高のような財務諸表外の営業指標と監査意見はこの表の対象外であり、一株当たりの数値は株式分割を遡及調整しない申告値のままです。

{year} 会計年度の事業報告書(受付日 {date})に提出者が記した文章をそのまま転記したものであり、表と図、他の節を指す案内文は除いています。

表示中の直近の年次開示の受付日は2026.03.18です。

監査意見

会計年度監査意見監査人決算日
2025적정의견第11期삼일회계법인2025-12-31
2024적정의견第10期삼정회계법인2025-12-31
2023적정의견第9期삼정회계법인2025-12-31
2022적정의견第8期삼정회계법인2022-12-31
2021적정의견第7期삼정회계법인2022-12-31
2020적정의견第6期삼정회계법인2022-12-31
2019적정의견第5期삼정회계법인2019-12-31
2018적정의견第4期삼정회계법인2019-12-31
2017적정의견第3期삼일회계법인2019-12-31
2016적정第2期회계법인 원지2016-12-31
2015적정第1期회계법인 원지2016-12-31

監査人の名称と監査意見は提出された監査報告書の記載をそのまま転記したものであり、表現は提出者に従います。同じ会計年度が二度表示される場合は、その開示に二件の記載が含まれていたことを意味し、原典は両者を区別していません。

韓国の監査意見は四種類に分かれ、財務諸表が適正に表示されていると認める適正意見(적정)、特定の事項を除いて適正と認める限定意見(한정)、適正に表示されていないと認める不適正意見(부적정)、そして十分な監査証拠を得られず意見を表明しない意見拒否(의견거절)があります。

バリュエーション

バリュエーション倍率の推移倍

PERとPBRは各期末の終値を同じ期に申告された一株当たりの値で割った倍率であり、一株当たり利益が損失の期は空欄にしています。四半期表示は四半期の一株当たり利益に対する倍率です。

PERバンドウォン

株価は修正株価であり、バンドは直近に終了した会計年度の一株当たり利益に倍率を掛けた線です。次の会計年度が終わるまで前の年度の一株当たり利益をそのまま使い、倍率は過去の年間PERの最小値と最大値の間を等間隔に分けた値です。

バリュエーションモデル

五つのモデルが同じ前提のもとで計算した一株当たりの値を現在株価と並べ、会計年度ごとにその値がどう動いたかを示します。

前提

無リスク金利国債10年物利回り · 2026-10-084.40%
ベータ日次 5年1.06
%
%
株主資本コスト9.69%
加重平均資本コスト9.38%
初期成長率5.2%
実効税率0.0%
基準会計年度2025
現在株価ウォン17,130

リスクプレミアムと永続成長率は変更できる前提であり、残りはデータと計算式から導かれる値です。

モデルモデル価格ウォン現在株価との比較
ゴードンモデル配当なし
配当割引モデル DDM配当なし
割引キャッシュフロー FCFF5,255-69.3%
割引キャッシュフロー FCFE3,794-77.9%
残余利益モデル RIM1,602-90.6%
表の値は直近会計年度の決算数値を本日の国債利回りと現在株価で計算したものです。

配当・残余利益系ウォン

割引キャッシュフロー系ウォン

会計年度ごとの値はその年の決算数値と決算日の国債利回りで計算し、ベータは現在の値をそのまま用い、株式分割や額面変更は現在の株式基準に合わせた値です。

計算過程

上の表の値がどのように求められたかを、記号の式とこの銘柄の実際の数値を代入した段階で示します。前提パネルの値を変えるとここの数値も変わります。企業単位の金額は億ウォン、一株当たりの値はウォンです。

株主資本コスト

r=rf+β×ERPr = r_f + \beta \times \mathit{ERP}

r = 4.40% + 1.06 × 5.00% = 9.69%

初期成長率

g1=max⁡{ROE×(1−payout), 0},gt=g1+(gT−g1) t−1N−1g_1 = \max\{\mathit{ROE} \times (1 - \text{payout}),\,0\},\qquad g_t = g_1 + (g_T - g_1)\,\frac{t-1}{N-1}

g_1 = max(5.24% × (1 − 0.00%), 0) = 5.24%

初年度はこの値から始まり、五年目に永続成長率に達するよう毎年同じ幅で下がります

残余利益モデル RIM

P0=B0+∑t=1NRIt(1+r)t+RIN(1+gT)(r−gT) (1+r)N,RIt=(ROE−r) Bt−1P_0 = B_0 + \sum_{t=1}^{N} \frac{\mathit{RI}_t}{(1+r)^t} + \frac{\mathit{RI}_N (1+g_T)}{(r - g_T)\,(1+r)^N},\qquad \mathit{RI}_t = (\mathit{ROE} - r)\,B_{t-1}

B_0 = 4,485 ウォン, ROE = 5.24%, 配当性向 = 0.00%, r = 9.69%, g_T = 2.00%

年次期首純資産利益資本コスト請求額残余利益割引係数現在価値
14,485235435-2000.9117-182
24,720247457-2100.8311-175
34,968260481-2210.7577-167
45,228274507-2330.6908-161
55,502288533-2450.6297-154
継続価値-3,2460.6297-2,044

P_0 = 4,485 + -839 + -2,044 = 1,602 ウォン

割引キャッシュフロー FCFF

FCFF0=CFO−CapEx+Int (1−τ),WACC=ED+E r+DD+E kd (1−τ)\mathit{FCFF}_0 = \mathit{CFO} - \mathit{CapEx} + \mathit{Int}\,(1-\tau),\qquad \mathit{WACC} = \frac{E}{D+E}\,r + \frac{D}{D+E}\,k_d\,(1-\tau)

基準年度キャッシュフロー FCFF

FCFF_0 = 411.9 − 160.1 + 31.3 × (1 − 0.00%) = 283.1 億ウォン

加重平均資本コスト

E = 14,054.4, D = 884.8 億ウォン; 株主資本比率 = 94.08%, 借入金比率 = 5.92%; 負債コスト k_d = 4.40%

WACC = 94.08% × 9.69% + 5.92% × 4.40% × (1 − 0.00%) = 9.38%

Vfirm=∑t=1NFCFFt(1+WACC)t+FCFFN(1+gT)(WACC−gT) (1+WACC)N,FCFFt=FCFFt−1(1+gt),P0=Vfirm−D+CashSharesV_{\text{firm}} = \sum_{t=1}^{N} \frac{\mathit{FCFF}_t}{(1+\mathit{WACC})^t} + \frac{\mathit{FCFF}_N (1+g_T)}{(\mathit{WACC} - g_T)\,(1+\mathit{WACC})^N},\qquad \mathit{FCFF}_t = \mathit{FCFF}_{t-1}(1+g_t),\qquad P_0 = \frac{V_{\text{firm}} - D + \text{Cash}}{\text{Shares}}
年次成長率キャッシュフロー 億ウォン割引係数現在価値 億ウォン
15.24%298.00.9143272.4
24.43%311.20.8359260.1
33.62%322.50.7642246.4
42.81%331.50.6987231.6
52.00%338.20.6388216.0
継続価値2.00%4,675.80.63882,987.0
合計4,213.7

企業価値 = 4,213.7; 借入金控除 884.8; 現金加算 982.3 → 4,311.2 億ウォン

P_0 = 4,311.2 億ウォン ÷ 82,045,350 (株式数) = 5,255 ウォン

割引キャッシュフロー FCFE

FCFE0=CFO−CapEx+ΔD,P0=1Shares[∑t=1NFCFEt(1+r)t+FCFEN(1+gT)(r−gT) (1+r)N],FCFEt=FCFEt−1(1+gt)\mathit{FCFE}_0 = \mathit{CFO} - \mathit{CapEx} + \Delta D,\qquad P_0 = \frac{1}{\text{Shares}}\left[\sum_{t=1}^{N} \frac{\mathit{FCFE}_t}{(1+r)^t} + \frac{\mathit{FCFE}_N (1+g_T)}{(r - g_T)\,(1+r)^N}\right],\qquad \mathit{FCFE}_t = \mathit{FCFE}_{t-1}(1+g_t)

基準年度キャッシュフロー FCFE

FCFE_0 = 411.9 − 160.1 + -33.7 (純借入の増減) = 218.1 億ウォン

年次成長率キャッシュフロー 億ウォン割引係数現在価値 億ウォン
15.24%229.60.9117209.3
24.43%239.70.8311199.2
33.62%248.40.7577188.2
42.81%255.40.6908176.4
52.00%260.50.6297164.0
継続価値2.00%3,455.10.62972,175.8
合計3,113.0

P_0 = 3,113.0 億ウォン ÷ 82,045,350 (株式数) = 3,794 ウォン

株主資本コストは無リスク金利にベータと株式リスクプレミアムの積を加えた値です。初期成長率は直近会計年度の自己資本利益率に内部留保率を掛けた値でありゼロを下回らないものとし、初年度のその値から五年目の永続成長率まで毎年同じ幅で下がると置きます。ゴードンモデルのみ最初から永続成長率で計算します。割引キャッシュフローは営業活動によるキャッシュフローから設備投資を差し引いた値を基準とし、FCFFは支払利息の税引後額を加えて加重平均資本コストで、FCFEは純借入の増減を加えて株主資本コストで割り引きます。残余利益モデルは一株当たり純資産に株主資本コストを上回る利益の現在価値を加えます。